Intel's 10 nanometer FinFET silicon fabrication มาถึงแล้ว

และแล้ว Intel's 10 nanometer FinFET silicon fabrication/กระบวนการผลิตเจนต่อไปก็มาถึงจนได้ถึงแม้ว่าจะช้ากว่าที่กำหนดเอาไว้พอสมควร, ถึงกระนั้นก็ตาม, ด้วยรูปแบบใหม่นี้, สามารถผลักดันและเอื้อต่อผู้ออกแบบชิปนำไปใช้และสร้างเทคโนโลจีใหม่ๆต่อไปได้อีกมหาศาล, อ้างอิงจากสำนัก Tech Insights. ทีมพัฒนาและวิจัยได้ถอดตัว die ออกจาก Intel "Cannon Lake" Core i3-8121U processor ที่ใส่ไว้ใน Lenovo Ideapad330, และนำไปส่องกล้อง electron microscope แทนเพื่อให้มันมีขนาดที่เล็กลงไปอีก.

สำหรับกระบวนการผลิตเจนใหม่ 10 nm process. สรุปได้ว่า, ความหนาแน่นของ transistor เพิ่มมากขึ้นเป็น 2.7 เท่าหากเทียบกับ 14 nm node ที่ใช้กันอยู่ปัจจุบัน, ทาง Intel สามารถประกอบ  transistors จำนวน  100.8 million/ล้าน transistors per/ต่อ square millimeter. ตัว die จะมีขนาด 127 mm² พร้อมกับจำนวน transistors มากถึง 12.8 billion/พันล้าน transistors. Intel 10 nm node ยังได้นำเอาเทคโนโลจี FinFET เจนที่สามมาใช้, สามารถลดขนาด gate pitch จาก 70 nm เหลือเพียง 54 nm;  metal pitch จาก 52 nm  เหลือเพียง 36 nm.

ที่มาเครดิต/Sources:  https://www.techpowerup.com