Micron ยืนยัน GDDR6 จะแรงได้ถึง 20 Gb/s เพียงแค่ปรับแต่งแรงดันไฟอีกเล็กน้อย/Voltage

Micron เปิดเผยข้อมูลเพิ่มเติมถึงศักยภาพของ GDDR6 Memory มีความเป็นไปได้สูงที่จะรีดประสิทธิภาพไปให้ถึง 20 Gb/s เพียงแค่ปรับแรงดันไฟเพิ่มอีกเล็กน้อยเท่านั้น/Voltage Bump

ในแง่ของการวิจัยในหลายๆด้านของ GDDR6 memory กล่าวได้เลยว่า, มันเกี่ยวข้องกับตัว silicon ที่เปลี่ยนไป, ช่องทางที่เชื่อมโยงหรือ channel ที่มีการปรับให้สมบูรณ์มากขึ้น, และประสิทธิภาพที่จะเพิ่มขึ้นตามขึ้นมา/performance measurements. แนวทางคิดและค้นคว้า GDDR6 ต่างก็นำเอา  GDDR5 และ GDDR5X memory มาเป็นแนวทาง, และได้สรุปออกมาว่า, มันยังสามารถที่จะพัฒนาไปได้มากกว่านี้ภายได้สถาปัตยกรรมที่มีอยู่, และโดยเฉพาะทางด้าน memory bandwidth ที่จะบู๊ธได้ไกลกว่านี้และประหยัดพลังงานอีกด้วย. ตัว VRAM นี้แหล่ะที่จะเป็นทางเลือกและจะถูกนำไปใช้ไว้ในการ์ดจอระดับผู้บริโภคทั่วไป, แน่นอนว่า NVIDIA GeForce ได้สั่งจองเอาไว้แล้ว.

อย่างที่เกริ่นในเบื้องต้น, ทาง Micron ค่อนข้างมั่นใจมากว่า GDDR6 memory สามารถที่จะเร็วได้เกิน 16.5 Gb/s. และพิสูจน์ออกมาแล้วว่าเพียงเพิ่มแรงด้นไฟให้มันเสถียรอีกเล็กน้อยใน I/O voltage, ตัว memory chips ก็จะสามารถทะยานไปถึง 20 Gb/s.

ยกตัวอย่างเช่น GDDR5X เราสามารถอัดความเร็ว  clock ได้เพิ่มสูงขึ้น, โดยที่ไม่มีการปรับแต่ง reference voltage/ค่าแรงดันไฟจากโรงงาน, แต่ความเร็ว clock สามารถทะยานไปได้ไกลเท่าๆกับที่มีอยู่บน Titan XP ( GTX 1080). และหากมาเปรียบกันกับ GDDR6,  เร็วที่ 20 Gb/s และจัด overclocks กับการ์ดที่กำลังจะเปิดตัว, ประสิทธิภาพในด้านบู๊ธ, น่าจะได้มาเหมือนๆกัน.

คราวนี้มาคิดกันเล่นๆว่าประสิทธิภาพทางด้าน clock มันจะกระโดดไปได้ไกลขนาดไหนจาก 20 Gb/, สำหรับการ์ด 256-bit พร้อมด้วยความเร็วขนาดนั้น, ก็จะสามารถเรทได้ที่ 640 Gb/s bandwidth อันนี้ใกล้เคียงกับ Titan V’s 652.8 Gb/s (HBM2) เข้าไปแล้ว. และหากเป็นการ์ด 384-bit มันก็คงจะทะลุกำแพง 1 Tb/s แน่นอนและเรทที่ 960 GB/s bandwidth, อันนี้มันเกิน NVIDIA’s Tesla V100 solution.

อัพเดท GPU Memory Technology:

ทาง Micron ออกมายืนยันว่า, GDDR6 data rates นั้นจะเร็วกว่ามาก, หากเทียบกับข้อมูลของทาง Jedec ที่คาดการ์ณกันไว้ที่ 14 Gb/s, และประสิทธิภาพทางด้าน overclocks เป็นไปได้สูงมากว่ายอดเยี่ยม