Toshiba พัฒนา 96-layer BiCS FLASH ด้วยเทคโนโลจี QLC

Toshiba Memory Corporation ผู้นำทางด้าน memory solutions, ออกมาเปิดเผยกำลังพัฒนาตัวต้นแบบ 96-layer BiCS FLASH, สำหรับ 3D flash memory, มี 4-bit-per-cell (quad level cell, QLC) ด้วยเทคโนโลจีนี้. จะทำให้ขนาดความจุต่อ single-chip memory มีมากยิ่งขึ้น.  ทาง Toshiba Memory จะส่งตัวอย่าง SSD และ SSD controller ไปยังโรงงานเพื่อการตรวจสอบประมาณ กันยายนที่จะถึงนี้และเริ่มเดินสายพานการผลิตประมาณ ปีหน้า2019.

ประโยชน์ของ QLC technology ทำให้ bit count/จำนวนนับต่อ/per memory cell เพิ่มขึ้นจากสามไปเป็นสี่. และต่อชิปขยายความจุได้มากสุดที่ 1.33 terabits ซึ่งความสำเร็จครั้งนี้ได้ร่วมมือกับทาง Western Digital Corporation. ในหนึ่งแพ็คเก็จก็จะมีชิปซ้อนกัน 16 ชั้นและมีขนาดความจุที่ 2.66 terabytes.  ดูเหมือนอนาคตอันใกล้นี้ทาง Toshiba Memory จะพัฒนา 3D flash memories ขนาดความจุและประสิทธิภาพสูงขึ้นไปเรื่อยเพื่อประโยชน์การใช้งานที่หลากหลายมากขึ้นและรวมถึงตลาด data center storage อีกด้วย.

ที่มาเครดิต/Sources: https://www.techpowerup.com