Micron เริ่มเดินสายพานการผลิต GDDR6 memory อย่างเต็มตัว

Micron ออกมาประกาศอย่างเป็นทางการเริ่มเดินสายพานการผลิต GDDR6 memory อย่างเต็มตัว, ขนาด 8Gb (1GB) และความเร็วมากถึง 64GB/s (16Gb/s) per/ต่อ package.

ทาง Micron ได้เพิ่มรายการ 12Gbps และ 14Gbps memory ไว้บนเว็ปไซต์, และตั้งเป้าเอาไว้ว่าจะไปให้ถึง 16Gbps สำหรับ GDDR6 memory packages, แรงเป็นสองเท่าหากเทียบกับ 8Gbps GDDR5 modules แถมแรงดันไฟยังน้อยกว่าหากเทียบกับ  GDDR5 packages ที่ 1.5V -  8Gbps speeds.  Micron's GDDR6 ต้องการแรงด้นไฟเซ๊ตอยู่ที่  1.25V และ 1.35V สำหรับความเร็วที่ 12Gbps และ 14Gbps.

ณ ตอนนี้มีทำตัวต้นแบบออกมา/GDDR6 memory เพื่อให้ทางผู้ผลิตชิปดีไซน์ตัว controllers และ IP สำหรับ memory ชนิดต่างๆ เช่นบริษัท RAMBUS, ผู้ซึ่งสร้าง PHY solution สำหรับกลุ่ม AI, networking, ADAS และทางด้านกราฟฟิก.

จุดเด่นของ GDDR6 memory ก็คือฟังค์ชั่นแบบเดียวกับ GDDR5, ขจัดข้อด้อยของ HBM2 memory และยังสามารถนำความชำนาญในด้าน GDDR5 ไปต่อยอดได้อีก. คาดกันว่า GDDR6 จะสามารถแทนที่ HBM2 ในบางกลุ่มของตลาด, โดยเฉพาะอย่างยิ่งความต้องการและการป้อนตลาดของ HBM2 memory นั้นมีไม่สอดคล้องกันในด้านสินค้า. GDDR6 memory จะเป็นตัวเล่นหลักสำหรับการ์ดจอ Nvidia GTX 11/20 series ที่กำลังจะเปิดตัวออกมา.